编号 | 产品名称 | 主要性能指标 | 关键技术装备 | 主要应用领域 |
53 | 12英寸硅单晶抛光片 | 直径 300mm,满足 90nm、 65~ 32nm线宽集成电路要求,GBIR≤1μm; SFQR≤65nm;翘曲< 35μm;金属污染少于 0.5×1010atom/cm³;边缘去除 2mm | 硅单晶生长的稳定控制技术、硅片精密加工和表面处理技术,直拉单晶炉、抛光机 | 微处理器、存储器、芯片 |
54 | 区熔硅单晶片 | 直径 125~ 150mm,电阻率 1~ 10000ohm·cm,无位错、无旋涡;径向电阻率不均匀性< 15% | 区熔硅单晶生长与缺陷控制技术,区熔单晶炉 | 电子电力器件、微波单片集成电路、探测器 |
(二 ) | 新型半导体材料 | | | |
55 | 砷化镓单晶材料 | 直径 76.2~ 100mm、 EPD≤10000 | 垂直布里奇曼法 /垂直梯度冷凝法 (VB/VGF), VB/VGF砷化镓单晶炉 | LED、 LD光电领域 |
56 | 蓝宝石材料 | 直径> 50mm、位错密度< 1000/cm 2 | 泡生法晶体生长工艺,泡生法蓝宝石单晶炉 | LED衬底 |
57 | 碳化硅晶片 | 直径 ≥100mm、微管密度为 8~ 10个 /cm 2 | SiC单晶生长技术;低缺陷、低成本 SiC单晶片制备成套技术,单晶炉 | 电子电力器件、半导体照明 |
58 | 氮化镓外延片 | 直径 ≥100mm | 高效外延生长技术,外延炉 | 半导体照明 |
(三 ) | 薄膜光伏材料 | | | |
59 | 碲化镉薄膜 | 1平方米以上模块,光电转化效率> 10% | 气相沉积技术 | 太阳能电池 |
60 | 铜铟镓硒薄膜 | 光电转化效率> 10% | 磁控溅射热蒸发、镀膜技术 | 太阳能电池 |
61 | 铜铟硫薄膜 | 光电转化效率> 8% | 铜带铜铟硫技术,电镀、热处理炉 | 太阳能电池 |
四 | 其他功能合金 | | | |
(一 ) | 高性能靶材 | | | |
62 | 超高纯铝、钛、铜溅射靶材和蒸发颗粒 | 厚度 3~30mm,直径 50~600mm、矩形靶材长宽 (100~800)mm×(20~ 200)mm,蒸发颗粒 Ф3~ 10mm、薄片 (3~20)mm×(3~ 20)mm、纯度 4N5~ 6N、晶粒细小均匀 | 超高纯金属提纯、微观组织控制、异种金属扩散焊接和精密加工技术,电子束熔炼炉、大吨位油压机、数控加工中心 | 集成电路镀膜、 Low-E节能玻璃镀膜、太阳能电池镀膜 |
63 | 超大尺寸高纯铝、铜、铬、钼溅射靶材 | 长宽 (500~ 3000mm)×(150~ 900mm)、厚度 6~ 40mm、纯度3N5~ 5N5,晶粒细小均匀、致密度> 98% | 大尺寸高纯金属熔炼、大尺寸难熔金属粉末烧结技术、靶材热机械处理技术、大面积钎焊焊接和精密加工技术,热等静压机、宽板轧机、钎焊台 | 平面显示用薄膜、工具镀膜、 Low-E节能玻璃镀膜 |
64 | 高纯铜合金、镍合金和钼溅射靶材 | 纯度 3N5~ 5N、合金成分偏差 ≤±10%、晶粒细小均匀、致密度 >98%;管型靶材长宽 1000~ 3000mm、外径 80~ 200mm、壁厚 3~30mm;平面靶材长宽 (200~ 2000)mm×(50~300)mm、厚度 3~ 30mm | 多元合金熔炼技术,大尺寸管靶成型技术,靶材与背板焊接技术,真空熔炼炉、数控加工中心、平面磨床 | 太阳能电池镀膜 |
65 | 高纯钼及其靶材 | 厚度 8mm以上、宽度> 700mm、 5N级高纯材料、密度>19.1g/cm³、组织均匀 | 大规格钨、钼板制备技术;靶材集成技术,稀有金属板材轧机、高功率电子束熔炼炉 | 微电子、新一代信息产业 |
66 | 高纯钨及其靶材 | 直径 510mm、厚度 5mm以上、宽度> 450mm、 5N级高纯材料、密度> 19.1g/cm³、组织均匀 | 材料提纯与合金化、成型技术,热压烧结炉、大规格钨板制备技术,靶材集成技术 | 太阳能电池镀膜 |