新材料产业“十二五”重点产品目录（全）

新材料产业“十二五”重点产品目录（全）(3)

编号	产品名称	主要性能指标	关键技术装备	主要应用领域
	料	作温度范围在 0～ 40℃	破碎机
24	稀土热障涂层材料	耐高温 1400℃，热扩散系数在 1400℃时为 0.5m²/s左右，热导率在 1400℃时为 1.0w/(m·k)左右	振动筛、压机、烧结炉、搅拌球磨机	高温部件
25	稀土农用环保材料	稀土治污活性剂、有机无机活性剂、肥料、饲料添加剂	纳米化工工艺装备技术	水污染治理、土污染治理
二	稀有金属材料
(一 )	钨钼材料
26	钨窄带	厚度 0.05～ 0.2mm，宽度 0.5～ 2.0mm，使用温度 1200℃以	轧制工艺， 13辊窄带轧机	电子、汽车行业
27	宽幅钨板	上厚度 5mm以上，宽度＞ 450mm，使用温度 1500℃以上	烧结、热轧工艺，轧机	靶材
28	高品质钼粉及钼坯	高纯度、低杂质、粒度可控	还原、烧结技术，还原炉、成形压机、烧结炉	高性能钼深加工材
29	大规格钼板	1500×2000mm	烧结及轧制工艺，轧机	高温炉、核电
30	大规格钼电极	φ100mm以上、 500t	烧结及锻造技术，烧结炉、锻造机	玻璃、稀土加工
31	钼铜合金	层状复合， Cu含量 15～ 40%	合金化和轧制工艺，烧结炉、专用轧机	电子、新能源汽车
32	钛锆钼 (TZM)合金	氧含量＜ 200ppm、大规格	烧结工艺，真空烧结炉	电子、高温结构材料
33	喷涂钼丝	高品质单重＞ 25kg、丝经均匀、低杂质	烧结炉、轧机、拉丝机	汽车零件表面喷涂
34	稀土钼合金	单一或复合掺杂稀土氧化物	合金均质化工艺，掺杂设备、烧结炉	电子
(二 )	钽铌材料
35	高比容钽粉	比容量 150000～ 250000µFV/g	金属钠还原剂还原工艺	电容器
36	细晶钽片	厚度 0.3～ 2.5mm、宽度 100～ 350mm、长度 100～ 1000mm，Rm≥196MPa、 Rp0.2≥100MPa、 A≥30%，晶粒度 25μm以下、平直度 6%、硬度＜ HV120	熔炼技术、塑性加工技术，电子束炉、锻造设备、真空热处理设备、轧制设备	电子、纺织
37	高品质铌片	厚度 0.1～ 4mm， Rm≥125MPa、 Rp0.2≥73MPa，伸长率 A≥20%，晶粒度 ≥5级，维氏硬度应＜80， Ra≤0.8μm	高纯铌熔炼、板材轧制与精度控制技术，电子束炉、多辊轧机 (有效轧制宽度 500mm以上 )	超导线材
38	高性能铌合金	板材厚度 0.5～ 10mm，宽度 100～ 500mm，长度 200～ 1000mm；棒材直径 4～ 100mm，长度 100～ 2000mm，Rm≥450MPa、 Rp0.2≥325MPa、 A≥25%	熔炼、成型及加工技术、热处理技术，电子束炉、电弧炉、挤压机、锻造设备、轧制设备、热处理设备	航空航天
(三 )	核级稀有金属材料
39	锆合金材	管材： ф9.5×0.57mm；板带材厚： 0.2～ 1.5mm；棒材直径： ф10mm	萃取分离、冶炼、轧制	核电

编号	产品名称	主要性能指标	关键技术装备	主要应用领域
40	银铟镉材料	晶粒度： 4～ 6级， Ra≤1.6μm，直线度＜ 0.25mm/300mm，密度 10.12～ 10.22g/cm³，涡流探伤参考缺陷的面积是棒材横截面积的 3%	熔炼、热处理、精整和成型技术，真空感应炉、管棒材热处理设备、精整设备和变颈成型设备	核电
(四 )	稀贵金属材料
41	贵金属纳米催化材料	粒子粒度 ≤50nm、吸氢量 ≥1200ml/（ g·min）	催化活性位结构和分布的调控技术、螯合体系还原技术和化学嫁接技术、助剂对催化剂性能的调变技术，载体处理装置、催化剂制备釜、还原釜、过滤装置	精细化工
42	铑催化材料	金属含量为 5%、金属粒子粒度 ≤30nm、吸氢量 ≥800ml/（ g ·min）	催化活性位结构和分布的调控技术、螯合体系还原技术和化学嫁接技术	医药行业
43	钯催化材料	金属含量为 5%、金属粒子粒度 ≤50nm、吸氢量 ≥1200ml/（ g·min）	催化活性位结构和分布的调控技术、助剂对催化剂性能的调变技术，载体处理装置、催化剂制备釜、还原釜、过滤装置、分包装置	液晶材料
44	铂催化材料	金属含量为 3%、金属粒子粒度 ≤30nm、吸氢量 ≥1200ml/（ g·min）	催化活性位结构和分布的调控技术、螯合体系还原技术和化学嫁接技术	颜料、染料
45	贵金属化合物及均相催化剂	辛酸铑，纯度＞ 99%	一步法合成技术，双层有机反应釜、保护气氛过滤装置、	抗生素合成
46	高活性铂系电极浆料	铂粉结晶度＞10000、烧结厚度 7～ 12μm；响应时间： λ=0.98～ 1.02时＜ 150ms， λ=1.02～ 0.98时＜ 75ms，电压：λ=0.93～ 0.97时＞ 800mV、 λ=1.05～ 1.10时电压＜ 200mV	超细铂粉制备、铂粉的高结晶度化技术、铂浆高温烧结活化，激光粒度分析仪、高温烧结炉、三辊研磨机、离心脱泡机	汽车、摩托车、燃气轮机、锅炉用氧传感器，燃料电池催化电极
三	半导体材料
(一 )	硅材料
47	大直径硅单晶	直径 300～ 450mm，电阻率 1～ 15ohm·cm，无位错，氧含量： 5×1017/cm³～ 1.5×10 18/cm³；碳含量＜ 1ppma	目标电阻率范围控制、材料纯度与氧含量控制技术，大直径单晶炉、截断机	集成电路
48	冶金法太阳能级多晶硅	低成本、低能耗，纯度 6N以上， B＜ 0.15ppm、 P＜ 0.35ppm	熔炼炉、熔渣炉、先进湿法冶金系统、定向固化炉等	太阳能电池
49	电子级多晶硅	纯度在 9N以上	三氯氢硅法、四氯氢硅法、硅烷法	集成电路
50	8英寸重掺硅单晶片	直径 200mm，电阻率 1～ 25×10 -3ohm·cm，电阻率径向变化≤15%， TTV≤5μm， SBIR≤1μm	低阻重掺技术、背封和多晶硅沉积工艺，单晶炉、切片机	集成电路、高端功率器件
51	8英寸轻掺硅单晶片	直径 200mm，电阻率 11～ 16ohm ·cm，满足 0.13μm线宽集成电路要求，径向电阻率变化 ≤8%、 TTV≤3μm、 SFQR≤ 0.2μm	生长缺陷控制、抛光工艺，单晶炉、抛光机	存储器、微处理器
52	8英寸硅单晶外延片	直径 200mm，外延厚度为目标值 ±1.5%以内，电阻率片内均匀性能达到 3%以内，表面颗粒 ≤30ea/wf	外延厚度和电阻率均匀性控制，表面清洗工艺，外延设备、清洗机	模拟电路、分立器件、功率集成电路