IGBT芯片始于19世纪80年代中期，30年以来，就FOM(优点指数)来说，今日的IGBT芯片比第一代的性能提升了20倍左右，其中改良技术包括：精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如CSTBTTM)，以及薄晶圆的开发等等。钱宇峰表示，三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代，还将朝第8代迈进。随着产品的更新换代，功耗越来越低，尺寸越来越小，从80年代中期至今，芯片尺寸只是原来的四分之一。
实际上，在创新方面，各大企业从来都没有止步。为了增强自己竞争力，各大企业几乎都在不遗余力地推陈出新。已连续十年稳居功率半导体市场榜首的英飞凌，在IGBT领域是强有力的竞争者之一。例如其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT技术，英飞凌科技(中国)有限公司工业功率控制业务部经理陈子颖介绍说：“CoolMOS C7系列是技术上的一次革命性飞跃，在硬开关应用的所有标准封装中都实现了全球最低RDS(on)，TO-247中为19mΩ，TO-220和D2PAK中为45mΩ，达到同类最佳等级。C7的快速开关性能可实现超过100kHz的开关频率，同时在服务器PFC等级上实现了钛金级效率，提供了提高功率密度的新方法。”
他继续表示：“而TRENCHSTOP 5 IGBT技术重新定义了‘同类最佳IGBT’的含义，可提供无可比拟的效率性能。在要求高效率、低系统成本和高可靠性的应用中，TRENCHSTOP 5是唯一的最佳选择。全新TRENCHSTOP 5 IGBT极大地降低了开关和导通损耗——与竞争对手的IGBT相比，其系统效率提升了将近1%——同时具有高达650V的击穿电压。”
东芝的IEGT则是在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Injection Enhanced)技术，用于高电压大电流级别的IGBT使其性能得到大幅提升。随后，针对100kW到MW级别的超大功率电力转换设备的应用，开发出东芝专利产品IEGT。IEGT通过采取“注入增强结构”实现了低通态电压，使大功率电力电子器件取得了飞跃性的发展。
东芝公司表示，IGBT系列电力电子器件具有良好的发展前景，其具有低损耗、高速开关、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，并采用沟槽结构和多芯片并联均流等技术，使其在进一步及扩大电流容量方面颇具潜力。目前，东芝的IEGT主要应用于新能源、太阳能、风能、高压直流输电(HVDC)、牵引用特种电源等特大功率电力领域。随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高，IEGT的优势逐步得到了体现和认可。现在国内市场上已经有以东芝的IEGT作为核心器件成功运行项目。
另外，IGBT厂商还将通过把现在的150mm和200mm晶圆增至300mm来削减成本。功率器件的封装技术决定其散热性能。为了保护裸晶圆不受外界干扰，所有IGBT及IPM模块都要封装起来，甚至把功能集成起来，这样使用起来更方便及安全，也缩短客户产品开发周期。在最新一代的封装技术中，采用针型散热器，结合到铜基板或铝基板上，系统将更小型化。
作为功率器件中的新星，SiC仍然朝着更低功耗、更低成本的方向改善。钱宇峰表示，三菱电机已开始引入混合SiC产品，即IGBT芯片用传统的单晶硅，续流二极管用SiC，恢复特性特别好，开关频率高，节能效果更好。在30kHz的应用条件下，混合SiC产品的功耗可以降低50%，适合应用在医疗设备，如核磁共振和CT彩超等应用中。
