北极星智能电网在线讯:(一)行业概况
现代电子技术包含两大部分：信息电子技术(包括：微电子、计算机、通信等)和电力电子技术(又称功率半导体技术)。集成电路是信息电子技术的核心，功率半导体器件是电力电子技术的核心。前者是实施信息的存储、传输、处理和控制指令;后者不但实施电能的存储、传输、处理和控制，保障电能安全、可靠、高效和经济的运行，而且将能源与信息高度地集成在一起。如果用人体来比喻的话，信息电子相当于人的大脑和神经中枢;而电力电子则相当于人体的心血管系统，为人体的活动传输能量，两者缺一不可。
(二)大功率半导体器件的发展
分立功率器件按照功率的大小划分为大功率半导体器件和中小功率半导体器件。具体来说，大功率晶闸管专指承受电流值在200A以上的晶闸管产品;大功率模块则指承受电流25A以上的模块产品;大功率IGBT、MOSFET指电流超过50A以上的IGBT、MOSFET产品。
1956年美国贝尔实验室(BellLab)发明了晶闸管，国际上，70年代各种类型的晶闸管有了很大发展，80年代开始加快发展大功率模块，同时各种大功率半导体器件在欧美日有很大的发展，90年代IGBT等全控型器件研制成功并开始得到应用。
在国内，60年代晶闸管研究开始起步，70年代研制出大功率的晶闸管，80年代以来，大功率晶闸管在中国得到很大发展，同时开始研制模块;本世纪以来，开始少量引进超大功率晶闸管(含光控晶闸管)技术;近年来国家正在逐步引进IGBT、MOSFET技术。中国宏观经济的不断成长，带动了大功率半导体器件技术的发展和应用的不断深入。
晶闸管、模块、IGBT的发明和发展顺应了电力电子技术发展的不同需要，是功率半导体发展历程中不同时段的重要标志产品，他们的应用领域、应用场合大部分不相同，小部分有交叉。
高电压、大电流、高频化、模块化、智能化的方向发展。在10Khz以下、大功率、高电压的场合，大功率晶闸管和模块具有很强的抗冲击能力及高可靠性而占据优势，同时又因成本较低、应用简单而易于普及。在10Khz以上、中低功率场合，IGBT、MOSFET以其全控性、适用频率高而占据优势。
